重构阿塔提斯增益芯片大全 各增益芯片使用攻略

重构:阿塔提斯中，增益芯片作用很大，那么游戏中增益芯片有哪些，效果如何，该怎么用，一起来看看吧。

重构:阿塔提斯的增益芯片共有8个。芯片有提供基础数值加成，有的还会提供额外芯片“技能”。一下面一个一个来看吧~

哈特罗根的造物

先从这个进阶芯片说起，主要是因为这个芯片的加成存在一些问题，在探究之后也希望能引起大家注意

高热叠加

高热叠加：普攻、技能命中敌方英雄(跳一次伤害就算命中一次比如多段伤害的技能，多段伤害的普攻)会叠加攻击or法强，持续5秒(远程英雄持续时间减半)，最多叠加5层，叠加5层之后额外造成10%的真实伤害。

从描述上来看“高热叠加”应该一共有“5”层，5层满了之后会额外造成10%真伤。实际测试起来普攻和部分技能确实如此，如下图所示：在普攻5此后“高热叠加”满层并开始造成10%额外真伤。

但是在实际使用中，部分技能会导致“高热叠加”进入一个“伪5层“状态，即虽然满层了但是不会额外造成10%真伤，需要再叠一层才会触发10%真伤(真伤被视为第”6“层高热叠加的效果)。如下图所示：

目前没有确切的答案知道究竟是怎么一回事，所以部分英雄在选择”高热叠加“时要注意一下自己的技能、普攻出招顺序，避免”伪5层“的情况出现导致伤害不足。

PS：部分“召唤师技能”也能触发“高热叠加”：燧发、特异掠食、涡流

燧发：第一、最后一段伤害可以独立触发“高热叠加”，中间伤害无法触发

特异掠食：对敌方英雄使用的特异掠食可以触发“高热叠加”

涡流：第一二段伤害可以独立触发“高热叠加”

短频轰击器

短频轰击器：3秒内对同一个敌方英雄造成3次普攻or技能命中(跳一次伤害就算命中一次比如多段伤害的技能，多段伤害的普攻)，对敌方造成一定物理或法术伤害，冷却时间30秒(随等级减少冷却时间)

“短频轰击器”没有“高热叠加”的触发问题，但是冷却时间有点过长。虽然随等级提升CD降低，但是每升一级只减1秒CD，前期动辄20+的冷却时间，有点过于拖节奏。能用“高热叠加的角色都不推荐带短频轰击器”比如“章鱼妹”，两者伤害差别不大，但是短频轰击器CD太长。

PS：部分“召唤师技能”也能触发“短频轰击器”：燧发、特异掠食、涡流

燧发：第一、最后一段伤害可以独立触发“短频轰击器”，中间伤害无法触发

特异掠食：对敌方英雄使用的特异掠食可以触发“短频轰击器”

涡流：第一伤害不可以触发“短频轰击器”，其二段伤害可以。

损伤追附

损伤追附：普攻或技能命中敌方英雄会附加额外的物理or法术伤害，冷却时间5秒。

消耗型英雄选择的芯片，相较于CD过长的“短频轰击器”中路的长手法师普遍可以选择这个“损伤追附”作为芯片，虽然伤害低了一些，但是CD够短有很好的消耗效果。

失控喷涌

失控喷涌：控制效果命中敌方英雄时，提高自身双抗2秒，效果结束后对周围造成一次伤害。冷却20秒。

失控喷涌主要适合一些有硬控开团能力的上单或者硬辅。例如：基纱贝尔、缇尼娅等英雄，保证在团战冲进去后有一定的抗性提升不至于暴毙。

稳态构想

稳态构想：护盾和治疗效果提升，目标生命值低时效果提升。受到护盾和治疗的友方英雄增加双抗，持续3秒。

有“套盾”、“治疗”能力的辅助选择的芯片效果，没啥好说的。

简单元件

一号位的芯片可以提供5种属性加成：物攻+10、法强+16、攻速+15、暴率+8%、暴伤+18%

5种芯片效果适合法师的就只有一种(法强+16)，但凡出AP的点这个芯片几乎没有什么争议。剩下的4种物理芯片，个人比较推崇“物攻+10”原因主要有3个。

首先现版本因为装备“周波刀”的被动问题，暴击体系的成型普遍比较慢，再选择“暴击”相关的初始芯片相当于放弃前期。在这么快的游戏节奏中放弃前期不值得，所以“暴率+8%、暴伤+18%”基本可以PASS了。

其次现版本“闪击鞋”(攻速鞋)等等优质的攻速装备很多，开局点攻速用处不大，“攻速+15”也可以PASS。

最后“物攻+10”增加前期能力，无论是对线还是野区尽可能的拥有“话语权”也更好的融入到这个快速的游戏节奏中去，同时也可以弥补一下由于游戏优化不好导致的补兵(尾刀)难的问题。

改进元件

二号位的芯片可以提供5种属性加成：物穿+12、法穿+12、冷却缩减+10%、护甲+15、法抗+15。

从五个属性来看：“抗性+15”的两个元件在现在这个坦克都能随便蒸掉的版本优先级很低，对线相较“双穿”有一点优势但是对线期很短。

回到“双穿”和“冷却缩减”的抉择问题上来。我个人的观点是对于大部分的简谐智能来说“冷却缩减”的优先级要高于“双穿”(冷却>双穿)。同样是游戏版本的问题：小地图、快节奏的游戏版本会围绕着地图资源“构龙、先构体”(小龙、先锋)展开大小规模的团战，各路联动也十分频繁。冷却缩减的好处就是可以更好的把握线权，有更强的跑线支援能力。优先支援，形成多打少的局面，从而更好的控制地图资源。

PS：除此之外在对局中穿透装备普遍比较优质比如“穿透效应器、裂解效应器、悬浮粒子束”等，而“冷却缩减”的属性对应的装备部分实用性比较差，显得更加珍贵。

特征元件

三号位的芯片可以提供5种属性加成：生命+160、生命回复+5/s、移动强化+8%、物理吸血+8%、法术吸血+8%。

对于肉坦&一般战士来说“生命+160要优于生命回复+5/s”如此快速的游戏环境生命回复所带来的的赖线续航远不如160血所带来的生存能力、对拼能力加强直观。

对于中路的法师而言有优秀的装备“高热义体”可以提供“25%法术吸血&10%冷却缩减”，保证中后期的续航足够了。选择8%移速可以更好的跑线支援让中路融入到快节奏对局中。

对射手来说，现在的射手前期还是以发育刷为主，物理吸血的优先级还是会更高一点的，当然选移速也没什么毛病而且也可以带160生命，增加自己在线上的对拼能力。

专精芯片组

护盾反射&蚀伤

两个芯片组放在一起来看主要是因为适应的群体差不多，多是一些近战英雄。护盾反射是开盾后下次攻击增加，适合的英雄有“莱瑞”、“空噪”等;蚀伤是对减速单位造成额外伤害，适合“缇尼娅”、“格洛伊德”等有减速技能的英雄。

过载治疗

过载治疗：治疗溢出时形成一个护盾，持续10秒，护盾值最多不超过最大生命值10%。

过载治疗的受众主要是射手，但说实话我个人觉得意义不太大。一是因为版本节奏太快，一直打架很难保持一个满血状态，二是作为一个脆皮10%的护盾实际意义也不大，不如选择“击破兼并、高能效应”以暴制暴。

击破兼并

击破兼并：参与击破会回复15%已损生命值和10%已损法力值，适合蓝耗比较高或者需要进场收割的刺客型英雄，比如章鱼妹等一系列刺客。

高能效应

高能效应：使用终极技能后获得额外的攻击力或者法强。持续6秒，冷却20秒。高能效应主要适合大招延时伤害或者大招起手的英雄，比如凰真、月悉等。

PS：击破兼并、高能效应其实个人感觉对于大多说英雄来说差别不大，可以喜欢带哪个就带哪个，各有各的观点吧~

活性芯片组

致命：对生命值百分比低的敌方英雄伤害提高。

下位姿态：对生命值绝对值比你高的敌方英雄伤害提高。

绝境反应：生命值百分比低时，对敌方英雄伤害提高。

统治：生命值百分比高时，对敌方英雄伤害提高。

应答装甲：单次超过当前20%生命值的伤害会获得10%减免，减免不超过最大生命值1%。

致命提高英雄的斩杀能力，是个输出都可以带，但也有极个别的比如：章鱼妹，这种强度过高的输出可以把致命换成应答装甲，毕竟斩杀线已经够高了，可以适当提升一下生存能力。

下位姿态提高脆皮对坦克输出，尤其是提高射手对前排坦克的威胁。

统治适合能在安全位置输出的角色，射手、常规法师都可以。

应答装甲提升生存能力，不缺伤害的输出位、抗伤位考虑携带。

转化芯片组

击速狂热：参与击破增加攻速。

转化汲取：参与击破增加吸血。

对于射手来说攻速、吸血都是很不错的抉择，究竟该怎么选择芯片呢?我个人的理解是看“出不出虹吸晶刃(吸血刀)”。如果后期要出吸血刀，那么前面带个“击速狂热”，有吸血刀就不是很需要吸血了;如果不出吸血刀，比如说我们要出复活甲、法抗这样的增加后期生存的装备，我们就带“转化汲取”，获取吸血保障我们有一定的续航能力。

愉悦：大部分角色都可以携带的芯片，降低大招冷却。不过像“库罗”这样只有2.5s大招CD的就别硬带了。

摄取生长：适合“大招没什么用”坦克使用的芯片，能带愉悦为什么要带摄取生长(哭 )。

坚韧化：参与击破减免控制，就目前的节奏来看意义不大

高频芯片组

紊乱稳定器

紊乱稳定器：受到控制效果后该次控制时间减少35%，最多减少0.5s，冷却30秒

紊乱稳定器主要应用在一些控制比较多的局面，适合输出位选择的一个芯片。

双伤害缓冲

双伤害缓冲：永久增加6%护甲和法抗，生命自低35%时额外获得6%护甲双抗。‘

上单、辅助可以着重考虑一下这个芯片，用来提高生存能力还是很不错的。

奠基生长

奠基生长：5min获得4物攻or6法强;10min获得12物攻or18法强;15min获得24攻击or36法强;20min获得40攻击or60法强。

奠基生长是一个成长型的芯片，主要适合在控制压力不大的对局中，输出位携带的芯片。

链式循环

链式循环：增加5%冷却缩减和5%冷却缩减上限，增加15%共鸣技能冷却缩减。每溢出1%冷却缩减，转化成1物攻or2法强。

链式循环的优势主要在于配合“改进元件”的10%冷却可以开局达到15%冷却，并且还有15%的共鸣技能冷却。可以更加频发的使用闪现等技能。

追猎拟合

追猎拟合：移速提升效果增加10%，参加击破后增加20%移动速度，持续3秒。

增加英雄的跑图支援gank能力和收割能力，一般适合打野位置的英雄携带。无论是击杀后的追击，还是撤离都很贴合技能。